Le laboratoire Laplace et l'Institut Néel ont réalisé ensemble un transistor Mosfet en diamant dopé au bore qui bénéficie d'une grande stabilité à l'état bloqué et d'une faible résistance à l'état ...

Notre transistor de puissance GaN de type classique est encapsulé dans un boîtier TO220 monté en surface et à haute diffusion thermique (taille : 15 x 9,9 x 4,6 mm) ; toutefois il ne suffit pas que le ...

Panasonic Corporation a annoncé aujourd'hui le lancement du plus petit boîtier sur le marché destiné aux transistors de puissance au nitrure de gallium (GaN)[2] (X-GaNTM)** à mode d’enrichissement [1] ...

Ce wafer de 200 mm contient des composants électroniques latéraux en GaN fabriqués sur silicium. L'idée du projet Vertigo est de réaliser des transistors à géométrie verticale, pour gagner en densité.

Transphorm, Inc. a annoncé qu'elle fera la démonstration des résultats de R&D de son dispositif GaN 1200 volts lors du Symposium international sur les dispositifs et les circuits intégrés de ...

- Favorise les économies d'espace et d'énergie pour les unités de conversion de puissance -. Panasonic Corporation a annoncé aujourd'hui que la société débuterait en novembre 2016 la production de ...

Spin-off de la société Soitec et du CEA Tech créée en 2014 à Grenoble et Toulouse, Exagan conçoit et développe des transistors à base de nitrure de gallium qui permettent de multiplier par trois la ...

Particulièrement performants pour l'électronique de puissance, les technologies de nitrure de gallium (GaN) atteignent la maturité suffisante pour passer à l'industrialisation. Mais de nombreuses ...

Sans eux, la fée électricité perdrait l’essentiel de ses pouvoirs. Les convertisseurs alimentent ordinateurs, luminaires ou télévisions avec exactement ce qu’il faut de tension et de puissance. Ils ...

Cette coopération vise à développer et industrialiser des architectures de diodes et transistors de puissance avancées en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) La technologie de fabrication ...

Teledyne e2v HiRel ajoute deux nouveaux HEMT (transistors à haute mobilité électronique) de puissance GaN renforcés à sa gamme de produits haute puissance de 650 volts à la pointe du secteur basée sur ...

(Keystone-ATS) Dans les véhicules électriques ou les installations photovoltaïques, les convertisseurs entraînent d’importantes pertes d’énergie. Conçu à l’EPFL, un nouveau type de transistor permet ...